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NTMFS4D0N08XT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMFS4D0N08XT1G

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 80 V, 3.5 m, 119 A

丝印标识

4D0N08

封装外壳

DFN5

文件大小

231.88 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 16:30:00

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NTMFS4D0N08XT1G规格书详情

特性 Features

• Low QRR, Soft Recovery Body Diode

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

• Synchronous Rectification (SR) in DC−DC and AC−DC

• Primary Switch in Isolated DC−DC Converter

• Motor Drives

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
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ON/安森美
24+
SO8-FL
30000
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24+
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SO8-FL
8080
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ON(安森美)
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