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NTMFS1D3N04XMT1G	文件：131.53 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1D3N4；Package：SO-8FL；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •ORing	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFWS1D3N04XMT1G	文件：148.22 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.3m,195A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •Ba	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMFS1D3N04XMT1G

文件：131.53 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：1D3N4；Package：SO-8FL；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •ORing

ONSEMION Semiconductor

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NVMFWS1D3N04XMT1G

文件：148.22 Kbytes

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MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.3m,195A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •Ba

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深圳市得捷芯城科技有限公司	NTMFS1D3N04XMT1G	N/A	24+	N/A	15978	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	NTMFS3D2N10MDT1G	ON	23+	原厂原封	1500	订货1周原装正品	询价
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