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PU3117	文件：89.2 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNtriplediffusionplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
PU3117	文件：73.58 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNTriple-DiffusedPlanarType	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
PUA3117	文件：89.2 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNtriplediffusionplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
RF3117	文件：118.76 Kbytes Page：6 Pages	3V900MHZLINEARAMPLIFIERMODULE ProductDescription TheRF3117isahigh-power,high-efficiencylinearamplifiermoduletargeting3Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierindual-mode3	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF3117PCBA	文件：118.76 Kbytes Page：6 Pages	3V900MHZLINEARAMPLIFIERMODULE ProductDescription TheRF3117isahigh-power,high-efficiencylinearamplifiermoduletargeting3Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierindual-mode3	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SM3117NSU	文件：242.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM3117NSUC	文件：956.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SM3117NSUC	文件：161.06 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM3117NSUCC-TUG	文件：161.06 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM3117NSUC-TRG	文件：242.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER

详细参数

型号：
NTLJF3117PTAG
功能描述：
MOSFET PFET 20V 4.1A 106MO 2X2
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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