| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
41562 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-363-6 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT363 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT363 |
23316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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ONSOT363 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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ONSOT-363 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT363 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ONSOT363 |
8500 |
23+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSOT363 |
9000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ONSOT363 |
30000 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ON/原装SOT363 |
11962 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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ONSOT363 |
20000 |
23+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美SC70-6 |
60000 |
21+ |
只售原装进口正品 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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ONSOT-363 |
9550 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT363 |
30000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT363 |
30000 |
22+ |
原装现货 可开票 假一罚十 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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OnsemiSOT363 |
6000 |
2022+ |
全新原装，有单必成 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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ONSOT363 |
12000 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
NTJD4105采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTJD4105图片
NTJD4105CT1G价格
NTJD4105CT1G价格：￥0.5704品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTJD4105CT1G多少钱，想知道NTJD4105CT1G价格是多少？参考价：￥0.5704。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTJD4105CT1G批发价格及采购报价，NTJD4105CT1G销售排行榜及行情走势，NTJD4105CT1G报价。
NTJD4105CT2G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTJD4105C制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
NTJD4105CT1功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4105CT1G功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4105CT2功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4105CT2G功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4105CT4功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4105CT4G功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
