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NTHS4111PT1G

Power MOSFET -30 V, -6.1 A, Single P-Channel, ChipFET

文件:193.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVGS4111PT1G

Single P-Channel Power MOSFET

文件:81.33 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVGS4111PT1G

Power MOSFET

文件:123.73 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS4111PT1

Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

文件:71.7 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS4111PT1

Power MOSFET

文件:123.73 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGS4111PT1G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00085 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    NTHS4111PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSemiconductor
24+
ChipFET
7500
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ON
23+
原厂封装
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振宏微原装正品,假一罚百
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原厂渠道,现货配单
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多NTHS4111PT1G供应商 更新时间2025-10-4 10:03:00