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NTHL020N090SC1D	文件：264.75 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, TO247-3L 900 V, 20 m, 118 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTBG020N090SC1	文件：325.98 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,900V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=200nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=295pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlev	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N090SC1	文件：334.99 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,900V,M2,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelint	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVHL020N090SC1	文件：268.6 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,TO247-3L900V,20m,118A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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