| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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ON/安森美SOT23-8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
81000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOP-8NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ONSOP-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONSOT23-8 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ON1206-8P |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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ONSOT23-8 |
100 |
0421+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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原装ONTSOP1206- |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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ONSNTHD5904T1 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ON1206-8P |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
25630 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23-8 |
10000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价格优 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT23-8 |
98500 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美CHIPFET |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ONSOT23-8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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ONSOT23-8 |
5500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ON1206-8P |
689 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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NTHD5904NT价格
NTHD5904NT价格：￥1.0400品牌：ON
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NTHD5904NT1G资讯
NTHD5904N
NTHD5904N
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更多NTHD5904N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET
NTHD5904N_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET
NTHD5904NT1功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT1G功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT3功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT3G功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904T1功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
NTHD5904T1/D功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel
