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NTE583规格书详情
Description:
The NTE583 is a metal to silicon junction diode featuring high breakdown, low turn–on voltage and ultrafast switching. This device is primarly intented for high level UHF/VHF detection and pulse application with broad dynamic range.
产品属性
- 型号：
NTE583
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
RF DIODE SCHOTTKY 2PF 70V DO-35
- 功能描述：
RF DIODE, SCHOTTKY, 2PF, 70V, DO-35
- 功能描述：
D-SI-SCHOTTKY-RF SW
- 功能描述：
RF DIODE, SCHOTTKY, 2PF, 70V, DO-35; Diode
- Configuration：
Single; Reverse Voltage
- Vr：
70V; Forward Current If
- Max：
15mA; Forward Voltage VF
- Max：
1V; Capacitance
- Ct：
2pF; Diode Case
- Style：
DO-35; No. of
- Pins：
2; Breakdown
- Voltage：
70V ;RoHS
- Compliant：
Yes
- 功能描述：
Diode Schottky 70V 0.015A 2-Pin DO-35
