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NTE464中文资料PDF规格书

NTE464
厂商型号

NTE464

功能描述

Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications

文件大小

23.16 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 NTE Electronics, Inc
企业简称

NTE

中文名称

NTE Electronics, Inc官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 16:06:00

NTE464规格书详情

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/°C

Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.56mW/°C

Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

产品属性

  • 型号:

    NTE464

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 25V 3-Pin TO-72

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
31
全新原装 货期两周
询价
NTE
23+
TO-59
8510
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NTE
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2022+
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