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NTE4151P中文资料单 P 沟道,门极齐纳,小信号 MOSFET,-20V,-760mA,360mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTE4151P

功能描述

单 P 沟道,门极齐纳,小信号 MOSFET,-20V,-760mA,360mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:07:00

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NTE4151P规格书详情

描述 Description

Small Signal MOSFET -20 V, -540 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75 and SC-89

特性 Features

• Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life
• Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)
• ESD Protected Gate
• RoHS Compliant

应用 Application

• Hide Side Load Switch
• DC-DC Conversion
• Small Drive Circuits
• Battery Operated Systems such as Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, etc.

技术参数

  • 制造商编号

    :NTE4151P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :6

  • VGS(th) Max (V)

    :-

  • ID Max (A)

    :0.8

  • PD Max (W)

    :0.301

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :350

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :260

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.1

  • Ciss Typ (pF)

    :156

  • Package Type

    :SC-89-3

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