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NTE38数据手册NTE中文资料规格书

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厂商型号

NTE38

功能描述

Complementary Transistors

制造商

NTE NTE Electronics

数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:06:00

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NTE38规格书详情

描述 Description

Description:
The NTE38 (PNP) and NTE175 (NPN) complementary silicon transistors are designed for high–speed switching and linear amplifier applications for high–voltage operational amplifiers, switching regulators, converters, inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.Features:
• Collector–Emitter Sustaining Voltage:
   NTE38: VCEO(sus) = 350V @ IC = 200mA
   NTE175: VCEO(sus) = 300V @ IC = 200mA
• Second Breakdown Collector Current:
   NTE38 IS/b = 875mA @ VCE = 40V
   NTE175 IS/b = 350mA @ VCE = 100V
• Usable DC Current Gain to 2.0Adc

技术参数

  • 型号:

    NTE38

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    T-PNP SI AV AF PWR AMP

  • 功能描述:

    Bulk

  • 功能描述:

    T-PNP-SI AV AF PWR AMP

  • 功能描述:

    Trans GP BJT PNP 350V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-66

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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