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厂商型号	NTE2407
功能描述	Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2406)
文件大小	23.8 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	NTE
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更新时间	2026-2-1 11:10:00
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Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2406)

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . 225mW

Derate above +25°C. . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/ °C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . 556°C/W

Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . .. . . 300mW

Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA .. . . 417°C/W

Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C

型号：
NTE2407
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
TRANSISTOR PNP SILICON 75V IC=0.6A SOT-23 CASE GENERAL PURPOSE AMP SURFACE MOUNT
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V
功能描述：
T-PNP-SI GEN PURP AMP
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor
Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
60V; Transition Frequency Typ
ft：
300MHz; Power Dissipation
Pd：
225mW; DC Collector
Current：
600mA; DC Current Gain
hFE：
100; No. of
Pins：
3
功能描述：
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23