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Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2406)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . 225mW
Derate above +25°C. . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/ °C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . 556°C/W
Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . .. . . 300mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA .. . . 417°C/W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C
产品属性
- 型号：
NTE2407
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
TRANSISTOR PNP SILICON 75V IC=0.6A SOT-23 CASE GENERAL PURPOSE AMP SURFACE MOUNT
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V
- 功能描述：
T-PNP-SI GEN PURP AMP
- 功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor
- Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo：
60V; Transition Frequency Typ
- ft：
300MHz; Power Dissipation
- Pd：
225mW; DC Collector
- Current：
600mA; DC Current Gain
- hFE：
100; No. of
- Pins：
3
- 功能描述：
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23
