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RF2104PCBA-H	文件：112.62 Kbytes Page：8 Pages	MEDIUMPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2104isamediumpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonalowcostSiliconprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween400MHzand1000MHz.Itmayalsobeusedasadriveramplifierinhigherpowe	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2104PCBA-L	文件：112.62 Kbytes Page：8 Pages	MEDIUMPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2104isamediumpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonalowcostSiliconprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween400MHzand1000MHz.Itmayalsobeusedasadriveramplifierinhigherpowe	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RN2104	文件：256.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104ACT	文件：196.37 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensityfabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104CT	文件：195.31 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingApplicationsInverterCircuitApplicationsInterfaceCircuitApplicationsDriverCircuitApplications SwitchingApplications InverterCircuitApplications InterfaceCircuitApplications DriverCircuitApplications •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermorecompactequipmentandsaveassemblycost	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104MFV	文件：206.92 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,soenablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RO2104	文件：146.78 Kbytes Page：2 Pages	303.825MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RO2104A	文件：100.5 Kbytes Page：2 Pages	303.825MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm

详细参数

型号：
NTE2104
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
IC-MOS 4K DRAM
功能描述：
4K X 1 SRAM 200NS
功能描述：
IC, DRAM, 4KBIT, DIP-16; Memory
Type：
DRAM - NMOS; Memory
Configuration：
4K x 1; Access
Time：
200ns; Page
Size：
4Kbit; Memory Case
Style：
DIP; No. of
Pins：
16; Operating Temperature
Min：
0C; Operating Temperature
Max：
70C; Memory
Size：
4KB
Pins：
16; IC Interface
Type：
(Not Available); Operating Temperature
Min：
0C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE211	NTE	23+		65480		询价
万三科技(深圳)有限公司	NTE21128	NTE	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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