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UPA1731	文件：72.24 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1731isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1731G	文件：292.03 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–5.0A) RDS(on)3=16.5mΩTYP.(VGS=–4.0V,ID=–5.0A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP. •Built-inG-Sprotect	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1731G	文件：72.24 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1731isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

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NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–5.0A) RDS(on)3=16.5mΩTYP.(VGS=–4.0V,ID=–5.0A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP. •Built-inG-Sprotect

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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详细参数

型号：
NTE1731
制造商：
NTE
制造商全称：
NTE Electronics
功能描述：
Integrated Circuit CMOS 10 Number Pulse Dialer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	NTE175		新		64	全新原装货期两周	询价
深圳市近平电子有限公司	NTE175	MOT	6000	面议	19	TO	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE175		2022+		60	全新原装货期两周	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE175		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE1750	NTE	23+		39209	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NTE1775	IC	1950+		980	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
万三科技(深圳)有限公司	NTE1776	NTE	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE185	NTE	23+		65480		询价

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