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NTD5807N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 31mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.02 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD5867NLT4G

TO-252

ON安森美

NTD6416ANT4G

TO252

ON

NTE159

TO92

NTE159IC

TO92

NTE ELECTRONICS

上传:深圳市融意电子有限公司

NTE ELECTRONICS

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更多NTD5807N-1供应商 更新时间2026-1-31 10:10:00