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NTD4970N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 21mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD4970N-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.94 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD4970N-1G

30 V, 36 A, Single N.Channel, DPAK/IPAK

文件:123.44 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5802NT4G

TO-252-3

ON

NTD5867NLT4G

TO-252

ON安森美

详细参数

  • 型号:

    NTD4970N-1

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NTD4970N-1供应商 更新时间2026-1-30 11:00:00