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NTD4969N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 41A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.83 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD4969N-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:995.7 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD4969N-1G

Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery

文件:124.28 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4969N-1G

Power MOSFET

文件:87.95 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD4969N-1

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD4969N-1供应商 更新时间2026-1-30 11:00:00