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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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NTD4906N

ONTO-252

37650

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)-

9555

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市凌旭科技有限公司

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ONTO252

1563

21+

十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市恒意法电子有限公司

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ONTO-252

20000

21+

专营原装正品现货,当天发货,可开发票!

深圳市汇莱威科技有限公司

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ON/安森美TO252

7906200

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONTO252

8500

23+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

2年 留言
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ONDPAK

14950

1429+

深圳市卓越微芯电子有限公司

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安森美

9500

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市凯盛恒创科技有限公司

3年 留言
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ONSOT252

50000

19+

全新原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ON/安森美TO-252

9800

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

无锡固电半导体股份有限公司

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iscDPAK/TO-252

5650

2024

1+
:¥2.00

国产品牌isc,可替代原装

深圳和润天下电子科技有限公司

5年 留言
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深圳市百视威讯电子科技有限公司

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N/A

30650

23+

正品授权货源可靠

中天科工半导体(深圳)有限公司

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ONTO-252

36900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市汇莱威科技有限公司

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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳市汇莱威科技有限公司

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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳市威尔健半导体有限公司

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ON/安森美TO-252

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23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市华芯源电子有限公司

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终端免费提供样品 可开13%增值税发票

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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ONTO-252

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深圳兆威电子有限公司

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NTD4906N-35G价格

NTD4906N-35G价格:¥0.9624品牌:ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的NTD4906N-35G多少钱,想知道NTD4906N-35G价格是多少?参考价:¥0.9624。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTD4906N-35G批发价格及采购报价,NTD4906N-35G销售排行榜及行情走势,NTD4906N-35G报价。

NTD4906N中文资料Alldatasheet PDF

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NTD4906N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

NTD4906N-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD4906N-35G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD4906NA-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD4906NA-35G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD4906NAT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD4906NAT4H制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET DPAK 30V 54A 5.5MO

NTD4906NT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube