选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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ONTO252 |
1563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
20000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ONTO252 |
8500 |
23+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司2年
留言
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ONDPAK |
14950 |
1429+ |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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ONSOT252 |
50000 |
19+ |
全新原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
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ON/安森美TO-252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscDPAK/TO-252 |
5650 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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ON/安森美TO-252 |
99818 |
22+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30650 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
99818 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
NTD4906N采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTD4906N图片
NTD4906N-35G价格
NTD4906N-35G价格:¥0.9624品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTD4906N-35G多少钱,想知道NTD4906N-35G价格是多少?参考价:¥0.9624。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTD4906N-35G批发价格及采购报价,NTD4906N-35G销售排行榜及行情走势,NTD4906N-35G报价。
NTD4906N中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4906N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4906N-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4906N-35G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4906NA-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4906NA-35G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4906NAT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4906NAT4H制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET DPAK 30V 54A 5.5MO
NTD4906NT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube