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NTC040N120SC1_V01	文件：179.34 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, Bare Die Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG040N120SC1_V01	文件：333.69 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,D2PAK-7 Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL040N120SC1_V01	文件：312.59 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=140pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG040N120SC1_V01	文件：307 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL040N120SC1_V01	文件：314.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=140pF) •100UILTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinte	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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