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NTBG014N120M3P_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 14mohm, 1200V, M3, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 14 m • Low Switching Losses (Typ. EON 1331 J at 74 A, 800 V) • 100 Avalanche Tested Typical Applications • Solar Inverters • Electric Vehicle Charging Stations • UPS (Uninterruptible Power Supplies) • Energy Storage Systems • SMPS (Switch Mode Power Supplies)

文件:333.4 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTBGS4D1N15MC

ON
TO-263-7

ON

NTCG163JF103FT1

TDK
SMD

NTCLE203E3103SB0

Vishay(威世)
插件,P=2.54mm

Vishay(威世)

NTCLE413E2103F102L

VISHAY/威世
DIP

VISHAY/威世

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更多NTBG014N120M3P_V01供应商 更新时间2025-10-10 15:01:00