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NTBG014N120M3P_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 14mohm, 1200V, M3, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 14 m • Low Switching Losses (Typ. EON 1331 J at 74 A, 800 V) • 100 Avalanche Tested Typical Applications • Solar Inverters • Electric Vehicle Charging Stations • UPS (Uninterruptible Power Supplies) • Energy Storage Systems • SMPS (Switch Mode Power Supplies)

文件:333.4 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTC5D-11

DIP-2

RUILON瑞隆源

上传:深圳市乐创天科技有限公司

RUILON瑞隆源

NTCG163JF103FT1

SMD

NTCLE413E2103F102L

DIP

VISHAY/威世

NTCLE413E2103H400

AXIA

VISHAY/威世

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更多NTBG014N120M3P_V01供应商 更新时间2025-11-28 8:01:00