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NVB6413AN	文件：85.49 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVB6413AN	文件：123.13 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,42A,28m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJS6413	文件：279.07 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6413	文件：348.87 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-4.4A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
S6413	文件：129.81 Kbytes Page：1 Pages	Nytyes®withStainlessSteelLockingDevice	HeycoHeyco. 海科	Heyco
S6413	文件：129.52 Kbytes Page：1 Pages	Nytyes®withStainlessSteelLockingDevice	HeycoHeyco. 海科	Heyco
S6413	文件：123.3 Kbytes Page：1 Pages	7watt;pin-basedCompactFluorescent;2700K;82CRI;2G7base	SATCO Satco Products, Inc.	SATCO
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SEL6413E	文件：427.75 Kbytes Page：2 Pages	3phiInverted-ConeLEDs(forlighting-panels)	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
SEL6413E-TG	文件：427.75 Kbytes Page：2 Pages	3phiInverted-ConeLEDs(forlighting-panels)	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken

详细参数

型号：
NTB6413ANG
功能描述：
MOSFET NFET D2PAK 100V 42A 28MO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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深圳市锐视安科技有限公司	NTB6413ANG	ON/安森美	05+	TO-263	320	原装正品现货,可开发票,假一赔十	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	NTB6413ANG	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NTB6413ANG	ON	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NTB6413ANG	VB	21+	TO263	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多NTB6413ANG供应商更新时间2025-7-15 10:17:00

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