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THS4302	文件：602.67 Kbytes Page：23 Pages	WIDEBANDFIXED-GAINAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
THS4302RGTR	文件：602.67 Kbytes Page：23 Pages	WIDEBANDFIXED-GAINAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
THS4302RGTR	文件：1.09696 Mbytes Page：28 Pages	WIDEBANDFIXED-GAINAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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TP4302B	文件：738.13 Kbytes Page：7 Pages	2.1ASynchronousMobilePowerSOC	TPOWERShenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd. 天源中芯深圳天源中芯半导体有限公司	TPOWER
UD4302	文件：1.02878 Mbytes Page：7 Pages	N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UM4302	文件：1.01793 Mbytes Page：7 Pages	N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UM4302	文件：301.67 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHING/ATTENUATORPINDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM4302	文件：209.99 Kbytes Page：4 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheUM4300andUM7300seriescombineadiodechipofextremelythickintrinsicregionwithalowthermalresistanceconstruction.Thisresultsindiodesuniquelyapplicabletoverylowdistortionlinearattenuatorsandspecializedfunctions.TheUM4300series,withlargecross-section	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
NTB4302G
功能描述：
MOSFET 30V 74A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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