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NT5DS64M8DS-5T	文件：2.25527 Mbytes Page：71 Pages	512Mb DDR SDRAM Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used 文件：2.25527 Mbytes 页数：71 Pages	NANYA 南亚科	NANYA
NT5DS64M8DS-5TI	文件：2.25527 Mbytes Page：71 Pages	512Mb DDR SDRAM Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used 文件：2.25527 Mbytes 页数：71 Pages	NANYA 南亚科	NANYA
NT5DS8M16FS-5T	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP	NANYA 南亚科上传：富凯科技(深圳）有限公司	NANYA
NT5SV8M16HS-6K	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP54	NANYA 南亚科上传：深圳市慧拓科技有限公司	NANYA
NT5TU128M8GE-AC	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA	NANYA 南亚科上传：深圳市凌旭科技有限公司	NANYA

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更多NT5DS64M8DS-5T供应商更新时间2026-1-25 9:04:00