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NT5DS32M16DS5T	文件：2.25527 Mbytes Page：71 Pages	512Mb DDR SDRAM Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used 文件：2.25527 Mbytes 页数：71 Pages	Nanya 南亚科	Nanya
NT5DS8M16FS-5T	文件：0 bytes Page：0 Pages	NANYA TSSOP	Nanya 南亚科上传：富凯科技(深圳）有限公司	Nanya
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更多NT5DS32M16DS5T供应商更新时间2025-10-12 16:00:00