NT5CB512M8EN-FLI中文资料南亚科技数据手册PDF规格书

厂商型号	NT5CB512M8EN-FLI
功能描述	Commercial and Industrial DDR3( L 4Gb SDRAM
文件大小	4.71365 Mbytes
页面数量	162 页
生产厂商	Nanya Technology Corporation.
企业简称	NANYA【南亚科技】
中文名称	南亚科技股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-6-21 23:00:00
人工找货	NT5CB512M8EN-FLI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

 Basis DDR3 Compliant

-8n Prefetch Architecture

-Differential C lock (   and Data Strobe(DQS/   

-Double data rate on DQs, DQS and DM

 Data Integrity

-Auto Self Refresh ( A SR) by DRAM built in T S

-Auto Refresh and Self Refresh Mode s

 Power Saving Mode

-Power Down Mode

 Signal Integrity

-Configurable DS for system compatibility

-Configurable On Die Termination

-ZQ Calibration for DS/ODT impedance accuracy via

external ZQ pad (240 ohm 1)

 Signal Synchronization

-Write Leveling via MR settings 5

-Read Leveling via MPR

 Interface and Power Supply

-SSTL_15 for DDR3:VDD/VDDQ= 1.5V ((±0.075V

-SSTL_135 2 for DDR3L:V DD/VDDQ= 1.35V 0.067/+0.1V

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