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NSVS50031SB3中文资料双极晶体管,50V,3A,低饱和压,NPN 单数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NSVS50031SB3

参数属性

NSVS50031SB3 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 3A 3CPH

功能描述

双极晶体管,50V,3A,低饱和压,NPN 单
TRANS NPN 50V 3A 3CPH

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:00:00

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NSVS50031SB3规格书详情

描述 Description

This device is bipolar junction transistor featuring high current, low saturation voltage, and high speed switching. Suitable for motor driver, relay driver, DC-DC converter of automotive applications. AEC-Q101qualified and PPAP capable.

特性 Features

• Large Current Capacitance
• Enables to design easily
• Low Collector to Emitter Saturation Voltage
• Improves efficiency in operation
• High-Speed Switching
• Improves efficiency in operation
• High Allowable Power Dissipation
• Enables to design easily
• AEC-Q101qualified and PPAP capable
• suitable for automotive applications
• Ultra small package facilitates miniaturization in end products(mounting height : 0.9 mm)
• Enables shrinking board units

应用 Application

• DC / DC Converter
• Relay Drivers, Lamp Drivers, Motor Drivers
• Flash

简介

NSVS50031SB3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSVS50031SB3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSVS50031SB3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.12

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :50

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :360

  • PTM Max (W)

    :1.1

  • Package Type

    :CPH-3

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