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NSVBC857CWT1G	文件：84.18 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBC857CWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBC857CWT1G-M01	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：NSVBC857CWT1G-M01	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBC857CWT1G-M02	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：NSVBC857CWT1G-M02	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857CWT1G	文件：84.18 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBC857CWT1G	文件：254.05 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequir	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
NSVBC857CWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

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