| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>NSVBC856BM3T5G>芯片详情
NSVBC856BM3T5G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NSVBC856BM3T5G品牌:onsemi
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
NSVBC856BM3T5G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商onsemi生产封装SOT-723的NSVBC856BM3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
NSVBC856BM3T5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
SOT-723
- 描述:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
供应商
相近型号
- NSVBC848CDW1T1G
- NSVBC848BWT1G
- NSVBC858AWT1G
- NSVBC847BTT1G
- NSVBC858BLT1G
- NSVBC847BLT3G
- NSVBC847BDW1T2G
- NSVBC858CLT1G
- NSVBC846BM3T5G
- NSVBCH807-25LT1G
- NSVBC818-40LT1G
- NSVBCH807-40LT1G
- NSVBCH817-40LT1G
- NSVBC817-40WT1G
- NSVBCP5310MTWG
- NSVBC817-16LT1G
- NSVBCP5316MTWG
- NSVBC144EPDXV6T1GIC
- NSVBCP53-16T3G
- NSVBC144EPDXV6T1G
- NSVBCP53MTWG
- NSVBC144EDXV6T1G
- NSVBCP5610MTWG
- NSVBC143ZPDXV6T5G
- NSVBCP56-10T3G
- NSVBC143ZPDXV6T1G
- NSVBCP5616MTWG
- NSVBC143ZDXV6T1G
- NSVBCP56MTWG
- NSVBC143TPDXV6T1G
- NSVBCP68T1G
- NSVBC143JPDXV6T5G
- NSVBC143JPDXV6T1G
- NSVBCP69T1G
- NSVBC124XPDXV6T1G
- NSVBC124XDXV6T1G
- NSVBC124EPDXV6T1G
- NSVBCW32LT1G
- NSVBC124EDXV6T1G
- NSVBCW68GLT1G
- NSVBC123JPDXV6T1G
- NSVBCX17LT1G
- NSVBC123JDXV6T5G
- NSVBSP19AT1G
- NSVBC123JDXV6T1G
- NSVBSS63LT1G
- NSVBC114YPDXV6T1G
- NSVBT2222ADW1T1G
- NSVBC114YPDXV65G
- NSVC2020JBT3G



