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NSVBAS21SLT1G	文件：99.42 Kbytes Page：3 Pages	Dual Series High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSVBAS21SLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS21SLT1	文件：123.19 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesHighVoltageSwitchingDiode Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:Class1 −MachineModel:ClassB •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandCon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS21SLT1	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	DualSeriesHighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVBAS21SLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
225mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23

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