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NSVBAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: •BAS19LT1=JP •BAS20LT1=JR •BAS21LT1=JS •BAS21DW5T1=JS Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：61.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS19LT1	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1D	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX19LT1	文件：51.62 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BCX19LT1	文件：87.11 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BCX19LT1	文件：64.54 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors(VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors) GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX19LT1G	文件：105 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX19LT1G	文件：134.44 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
NSVBAS19LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GP 120V 200MA SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NSVBAS19LT1G供应商更新时间2024-4-30 17:24:00

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