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NSVBAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSVBAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: •BAS19LT1=JP •BAS20LT1=JR •BAS21LT1=JS •BAS21DW5T1=JS Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：61.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BAS19LT1	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1D	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVBAS19LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GP 120V 200MA SOT23-3

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