NSVBAS19L分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSVBAS19L |
| 参数属性 | NSVBAS19L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GP 120V 200MA SOT23-3 |
| 功能描述 | High Voltage Switching Diode |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
110.37 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-14 10:48:00 |
| 人工找货 | NSVBAS19L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVBAS19L规格书详情
NSVBAS19L属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体制造生产的NSVBAS19L二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
特性 Features
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
NSVBAS19LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
- 速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
- 不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
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7800 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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SOT-23 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
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ON |
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NA |
3000 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
30000 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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ON/安森美 |
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SOT-23 |
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