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NSV60600MZ4T3G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NSV60600MZ4T3G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS PNP 60V 6A SOT223
供应商
- 企业:
深圳市富安睿科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
张先生
- 手机:
13923782674
- 询价:
- 电话:
075583222701
- 地址:
深圳市福田区福虹路世贸广场A座803
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