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NST856BF3T5G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NST856BF3T5G |
参数属性 | NST856BF3T5G 封装/外壳为SOT-1123;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT1123 |
功能描述 | PNP General Purpose Transistor |
文件大小 |
115.88 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-8 22:59:00 |
NST856BF3T5G规格书详情
NST856BF3T5G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的NST856BF3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
NST856BF3T5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
800mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-1123
- 供应商器件封装:
SOT-1123
- 描述:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT1123
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-1123-3 |
6547 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-963 |
8800 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-963 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2021+ |
SOT-963 |
7600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-963 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
SOT-1123 |
236148 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
16000 |
原装正品 |
询价 | ||
onsemi |
22+/23+ |
SOT-1123 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
NA |
8600 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 |