NST1602CL中文资料Bipolar Transistor 160V, 1.5A NPN Low VCE(sat) Single数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NST1602CL |
参数属性 | NST1602CL 封装/外壳为SOT-1205,8-LFPAK56;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT |
功能描述 | Bipolar Transistor 160V, 1.5A NPN Low VCE(sat) Single |
封装外壳 | SOT-1205,8-LFPAK56 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 12:13:00 |
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NST1602CL规格书详情
描述 Description
This device is bipolar junction transistor featuring high current, low saturation voltage, and high speed switching. Suitable for automotive applications, AEC-Q101 qualified, PAP capable.
特性 Features
• Large current capacity
• Enables design easily
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Improves efficiency in operation
• High speed switching
• Improves efficiency in operation
• High allowable power consumption
• Enables design easily
应用 Application
• Load switch
• Gate driver buffer
• DC-DC converter
• LED driver
• Solar inverter
• Traction inverter
简介
NST1602CL属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NST1602CL晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
NST1602CLTWG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
140mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 100mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-1205,8-LFPAK56
- 供应商器件封装:
8-LFPAK
- 描述:
160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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