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NST1602CL中文资料Bipolar Transistor 160V, 1.5A NPN Low VCE(sat) Single数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NST1602CL

参数属性

NST1602CL 封装/外壳为SOT-1205,8-LFPAK56;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT

功能描述

Bipolar Transistor 160V, 1.5A NPN Low VCE(sat) Single
160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT

封装外壳

SOT-1205,8-LFPAK56

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 12:13:00

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NST1602CL规格书详情

描述 Description

This device is bipolar junction transistor featuring high current, low saturation voltage, and high speed switching. Suitable for automotive applications, AEC-Q101 qualified, PAP capable.

特性 Features

• Large current capacity
• Enables design easily
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Improves efficiency in operation
• High speed switching
• Improves efficiency in operation
• High allowable power consumption
• Enables design easily

应用 Application

• Load switch
• Gate driver buffer
• DC-DC converter
• LED driver
• Solar inverter
• Traction inverter

简介

NST1602CL属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NST1602CL晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NST1602CLTWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    140mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-1205,8-LFPAK56

  • 供应商器件封装:

    8-LFPAK

  • 描述:

    160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT

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