NSS60601MZ4T3G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
NSS60601MZ4T3G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
18000
产品封装：
N/A
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-18 14:36:00

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详细信息
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原厂料号：NSS60601MZ4T3G品牌：ON(安森美)

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NSS60601MZ4T3G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装N/A/TO-261-4，TO-261AA的NSS60601MZ4T3G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
NSS60601MZ4T3G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
6 页
文件大小：
110.9 kb
资料说明：
60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
NSS60601MZ4T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS NPN 60V 6A SOT223

供应商

企业：
深圳市宇创芯科技有限公司
商铺：
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联系人：
李先生
手机：
19925278751
询价：
电话：
19925278751
传真：
0755-83221909
地址：
深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3037号南光捷佳大厦1727

NSS60601MZ4T3G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

NSS60601MZ4T3G

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