NSS60200LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
NSS60200LT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
8000
产品封装：
标准封装
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-5-17 9:02:00

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原厂料号：NSS60200LT1G品牌：ON(安森美)

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NSS60200LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NSS60200LT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
NSS60200LT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
5 页
文件大小：
71.96 kb
资料说明：
60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
NSS60200LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

供应商

企业：
深圳市腾亿芯科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
刘先生
手机：
13510751952
询价：
电话：
0755-83993059
传真：
86-755-83256866
地址：
深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋319室

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NSS60200LT1G

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