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NSS40200LT1G

40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:106.49 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40200LT1G

PNP Transistor

文件:71.8 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40200LT1G

40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:119.07 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40200LT1G

PNP Transistor

文件:92.72 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40200LT1G

40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:102.52 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40200LT1G_07

40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:106.49 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40200LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSS40200LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    170mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 2A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
19+
SOT-23
30000
询价
ON/安森美
22+
SOT-23
54500
原装正品
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ONSEMI/安森美
25+
SOT-23
37711
ONSEMI/安森美全新特价NSS40200LT1G即刻询购立享优惠#长期有货
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onsemi/安森美
22+
原装封装
3000
品质保证,信誉至上
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ON
23+
SOT23
3000
正规渠道,只有原装!
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ON
23+
SOT-23
690000
一级分销商
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ON
24+
NA
39500
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ON/安森美
20+
SOT-23
120000
原装正品 可含税交易
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ON/安森美
2021+
SOT-23
9000
原装现货,随时欢迎询价
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ON
24+
SOT-23
51000
只做原装 有挂有货 假一赔十
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更多NSS40200LT1G供应商 更新时间2025-10-4 16:03:00