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NSR05F20NXT5G

Schottky Barrier Diode, 20 V

These Schottky barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current and are offered in a Chip Scale Package (CSP) to reduce board space. The low thermal resistance enables designers to meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting reduced spa

文件:168.65 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSR05F20NXT5G

Schottky Barrier Diode

文件:97.56 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSR05F20NXT5G_V01

Schottky Barrier Diode, 20 V

These Schottky barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current and are offered in a Chip Scale Package (CSP) to reduce board space. The low thermal resistance enables designers to meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting reduced spa

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ONSEMI

安森美半导体

NSR05F20NXT5G

Package:0402(1006 公制);包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 2DSN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSR05F20NXT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    500mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0402(1006 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DSN(1x0.6),(0402)

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 2DSN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多NSR05F20NXT5G供应商 更新时间2025-10-6 9:38:00