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NSR02F30MXT5G

200 mA, 30 V Schottky Barrier Diode

TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentthatoffersthemostoptimal powerdissipationinapplications.Theyarehousedinaspacingsaving x3DFN0201packageidealforspaceconstraintapplications. Features LowForwardVoltageDrop

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSR02F30MXT5G

200 mA, 30 V Schottky Barrier Diode

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NSR02F30MXT5G

Schottky Barrier Diode

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NSR02F30MXT5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN

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产品属性

  • 产品编号:

    NSR02F30MXT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSR02F30MXT5G供应商 更新时间2025-7-28 9:38:00