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NSR02F30MXT5G	文件：226.33 Kbytes Page：5 Pages	200 mA, 30 V Schottky Barrier Diode These Schottky barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current that offers the most optimal power dissipation in applications. They are housed in a spacing saving x3DFN 0201 package ideal for space constraint applications. Features  Low Forward Voltage Drop 文件：226.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR02F30MXT5G	文件：104.27 Kbytes Page：4 Pages	200 mA, 30 V Schottky Barrier Diode 文件：104.27 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR02F30MXT5G	文件：97.25 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：97.25 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSR02F30MXT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NSR02F30MXT5G供应商更新时间2025-12-1 10:28:00