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NSPU5201MUTBG

ESD and Surge Protection Diode Low Clamping Voltage

Features • Unidirectional High Voltage ESD and Surge Protection • Provides ESD Protection to IEC61000−4−2 Level 4: ±30 kV Contact Discharge • Small Package: 1.8 mm x 2.0 mm • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

文件:180.14 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSPU5201MUTBG

Package:6-UFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 20VWM 31.5VC 6UDFN

ONSEMI

安森美半导体

NTE5201A

Zener Diode, 10 Watt 짹5 Tolerance

Features: ● Zener Voltage 3.9V to 200V ● DO4 Stud Mount Package

文件:32.85 Kbytes 页数:4 Pages

NTE

OM5201DT

HERMETIC JEDEC TO-257AA HIGH EFFICIENCY, CENTER-TAP RECTIFIER

[Omnirel] DESCRIPTION This series of products in a hermetic package is specifically designed for use at power switching frequencies in excess of 100 kHz. The series combines two high efficiency devices into one package, simplifying installation, reducing heat sink hardware, and the need to obtai

文件:35.41 Kbytes 页数:2 Pages

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未分类制造商

OM5201DT

HERMETIC JEDEC TO-257AA HIGH EFFICIENCY, CENTER-TAP RECTIFIER

文件:25.45 Kbytes 页数:2 Pages

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未分类制造商

产品属性

  • 产品编号:

    NSPU5201MUTBG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    20V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    21.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    31.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    140A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-UFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-UDFN(1.8x2)

  • 描述:

    TVS DIODE 20VWM 31.5VC 6UDFN

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更多NSPU5201MUTBG供应商 更新时间2026-1-28 16:12:00