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NSPM3031MXT5G	文件：299.75 Kbytes Page：8 Pages	3.3V Bidirectional ESD and Surge Protection Device	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSPM3031MXT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-XDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 7.6VC 2X2DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESDM3031MXT5G	文件：231.69 Kbytes Page：7 Pages	ESDProtectionDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSPM3031MXT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
7.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
45A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
87pF @ 1MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-XDFN
供应商器件封装：
2-X2DFN（1x0.6）
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 7.6VC 2X2DFN

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更多NSPM3031MXT5G供应商更新时间2025-5-29 10:22:00

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