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NSPM1042MUTBG电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

NSPM1042MUTBG
厂商型号

NSPM1042MUTBG

参数属性

NSPM1042MUTBG 封装/外壳为2-UDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;NSPM1042MUTBG应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 4.8VWM 9.5VC 2UDFN

功能描述

ESD and Surge Protection Diode
TVS DIODE 4.8VWM 9.5VC 2UDFN

丝印标识

N3M

封装外壳

UDFN2 / 2-UDFN

文件大小

228.58 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 10:54:00

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NSPM1042MUTBG规格书详情

NSPM1042MUTBG属于电路保护的TVS-二极管。由安森美半导体公司制造生产的NSPM1042MUTBGTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSPM1042MUTBG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    4.8V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    4.85V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    9.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    180A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    480pF @ 1MHz(最大)

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-UDFN

  • 供应商器件封装:

    2-UDFN(2x1.25)

  • 描述:

    TVS DIODE 4.8VWM 9.5VC 2UDFN

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