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NSP2201MR6T1G	文件：267.67 Kbytes Page：8 Pages	ESD and Surge Protection Device 文件：267.67 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSP2201MR6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 12VC 6TSOP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NUP2201MR6T1	文件：74.03 Kbytes Page：6 Pages	Low Capacitance TSOP?? Diode?뭈VS Array for High Speed Data Lines Protection 文件：74.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSP2201MR6T1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
12V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
25A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
500W
电源线路保护：
是
应用：
DVI，USB
不同频率时电容：
3pF @ 1MHz
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-TSOP
描述：
TVS DIODE 5VWM 12VC 6TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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