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NSDP301MX3T5G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSDP301MX3T5G |
| 参数属性 | NSDP301MX3T5G 封装/外壳为0201（0603 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：SINGLE PIN DIODE FOR ATTENUATOR |
| 功能描述 | PIN Diode Single PIN Diode for Attenuator and RF Switch |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | X3DFN2 / 0201（0603 公制） |
| 文件大小 |
199.12 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 13:01:00 |
| 人工找货 | NSDP301MX3T5G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSDP301MX3T5G规格书详情
NSDP301MX3T5G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的NSDP301MX3T5G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
更多- 产品编号：
NSDP301MX3T5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 二极管类型：
PIN - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
80V
- 不同 Vr、F 时电容：
0.33pF @ 0V，1MHz
- 不同 If、F 时电阻：
1.3 欧姆 @ 10mA，100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
0201（0603 公制）
- 供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
- 描述：
SINGLE PIN DIODE FOR ATTENUATOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
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50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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