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NSD5604E-DHTSTR数据手册Novosense中文资料规格书

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厂商型号

NSD5604E-DHTSTR

功能描述

55V 260mΩ 4通道低边驱动

制造商

Novosense NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd.

中文名称

纳芯微电子 苏州纳芯微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 16:01:00

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NSD5604E-DHTSTR规格书详情

描述 Description

NSD5604E是一款4通道低边驱动芯片,该产品集成了4通道低边NMOSFET可以驱动阻性,容性或者感性负载;4个通道可以同时导通并且每个通道可以支持500mA以上负载电流;该产品每个通道支持独立过流保护而且过流点可以通过外部电阻进行配置;芯片还集成有源钳位与续流二极管,结合外部TVS可以实现感性负载实现不同电流衰减模式包括慢速衰减与快速关断。

特性 Features

• 宽工作电压范围:8V – 50V(耐压55V)
• 导通电阻260mΩ
• 峰值电流3.0A
• 支持快速脉冲频率
• LDO支持输电压为5V - 20mA
• 集成有源钳位与续流二极管
• 可配置限流点与过流保护
• 欠压保护
• 工作温度:-40°C~125°C

应用 Application

• 工业自动化
• 工业机械
• 数字机床
• 通用阻性/容性/感性负载

技术参数

  • 制造商编号

    :NSD5604E-DHTSTR

  • 生产厂家

    :Novosense

  • 驱动类型

    :全集成低边驱动

  • 导通电阻(Ω) LS

    :0.26

  • 峰值电流 (A)

    :3

  • 低边通道数量

    :4

  • Vmin(V)

    :8

  • Vmax(V)

    :55

  • 控制接口

    :PWM

  • 特性

    :过流保护,过温保护,欠压保护

  • 工作温度 (°C)

    :-40~125

  • 产品等级

    :工业

  • 封装

    :HTSSOP20

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