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NSCT3904LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor Features • These Devices are PbïFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECïQ101 Qualified and PPAP Capable 文件：218.31 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMMBT3904LT1G	文件：132.06 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：132.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMMBT3904LT1G	文件：143.64 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：143.64 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSCT3904LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

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