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NSCT3904LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT3904LT1	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：331.01 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=5dB(MAX) @VCE=5.0V,f=10Hzto15.7kHz,IC=100uA,RS=1.0kΩ •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiers andlinearbroadbandamplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMB3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •ComplementaryPairwithMMBT3906LT1. •CollectorDissipation:Pc=225mW •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •NPNEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3904LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingamplifierapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3904LT1	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors(NPN) FEATURES ■Powerdissipation,PCM:0.2W(Tamb=25℃) ■Collectorcurrent,ICM:0.2A ■Collector-basevoltage,V(BR)CBO:60V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange: TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23plastic-encapsulatepackage DeviceMarking:AM1	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1G	文件：132.06 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：143.64 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：119.96 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
NSCT3904LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司	NSCT3904LT1G		23+	N/A	46280	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	NSCT3904LT1G	ON/安森美	22+	SOT-23	44111	原装正品现货,可开13个点税	询价
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