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NSCT2907ALT1G中文资料General Purpose Transistors PNP Silicon数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NSCT2907ALT1G |
| 参数属性 | NSCT2907ALT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 |
| 功能描述 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | NSCT2907ALT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSCT2907ALT1G规格书详情
简介
NSCT2907ALT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NSCT2907ALT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
NSCT2907ALT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
990000 |
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询价 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
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ON |
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SOT23 |
1190690 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23 |
1190690 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
SOT-23 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SMD |
12000 |
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询价 | ||
原装ON |
24+ |
SOT-23 |
63200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT-23 |
6000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |
