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NSCT2907ALT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | NSCT2907ALT1G | 
| 参数属性 | NSCT2907ALT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 | 
| 功能描述 | General Purpose Transistors PNP Silicon | 
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 
| 文件大小 | 109.39 Kbytes | 
| 页面数量 | 5 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 9:51:00 | 
| 人工找货 | NSCT2907ALT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
NSCT2907ALT1G规格书详情
NSCT2907ALT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的NSCT2907ALT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:NSCT2907ALT1G 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:散装 
- 晶体管类型:PNP 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 
- 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 
- 频率 - 跃迁:200MHz 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 
- 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 
- 描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 原装ON | 19+ | SOT-23 | 20000 | 原装现货假一罚十 | 询价 | ||
| ON/安森美 | 23+ | SOT-23 | 50000 | 全新原装正品现货,支持订货 | 询价 | ||
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