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NSBC124EDXV6T1G	文件：155.89 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：155.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSBA124EDXV6T1G	文件：123.72 Kbytes Page：8 Pages	Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：123.72 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSBC124EDXV6T1	文件：130.18 Kbytes Page：9 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：130.18 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSCSSNN005PDUNV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell SIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell
NSCSSNN030PAUNV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell SIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell

详细参数

型号：
NSBC124EDXV6T1G
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多NSBC124EDXV6T1G供应商更新时间2025-10-4 23:00:00

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