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NSBC113EPDXV6T1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

NSBC113EPDXV6T1G

参数属性

NSBC113EPDXV6T1G 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

功能描述

Complementary Bias Resistor Transistors
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

文件大小

82.89 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-11-29 14:31:00

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NSBC113EPDXV6T1G规格书详情

NSBC113EPDXV6T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置。由安森美半导体制造生产的NSBC113EPDXV6T1G晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置预偏置的双极晶体管阵列包含两个或更多双极晶体管,同时电阻以可能有用的方式连接到每个晶体管;通常在每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻,同时有另一个电阻连接到每个晶体管的基极端子和器件封装上的用户可访问引脚。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSBC113EPDXV6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
1923+
SOT-553
7823
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